分数涡旋密度下超导阵列中动态涡旋 Mott 转变的临界行为
超导电性
2018-09-26 v1
摘要
我们研究了在热涨落和对应于每个元胞 个磁通量子的磁场存在下，由外部驱动电流引起的二维超导阵列的差动电阻率转变。近期实验已将该转变识别为涡旋密度接近 有理值处的动态涡旋 Mott 绝缘体转变。临界行为由转变附近电流-电压关系的标度分析确定，该关系通过涡旋表示下 Josephson 结阵列模型的蒙特卡洛模拟获得。对于方格点阵列，在 附近得到的临界指数与实验观测一致。在 附近观察到相同的标度行为。对于蜂窝状阵列，尽管在 处得到类似结果，但在 处不存在该转变，与无公度涡旋相一致。
引用
@article{arxiv.1809.03027,
title = {Critical behavior of dynamic vortex Mott transition in superconducting arrays at fractional vortex densities},
author = {Enzo Granato},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.03027},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 7 figures, Phys. Rev. B (2018)