相对论性 Tl/Si(111) 表面的自旋与电子-声子耦合动力学
介观与纳米尺度物理
2018-05-23 v3
摘要
我们研究电子自旋与自旋轨道相互作用在 Tl/Si(111) 表面异常电子-声子耦合中所起的作用。我们的第一性原理计算表明，该体系的特殊自旋构型主导了整个低能电子-声子物理，这可由被禁戒的自旋-自旋散射通道得到显著解释。特别地，我们表明对于靠近 K 和 K' 谷的表面态，电子-声子耦合强度显得急剧减弱，这明确归因于通过关联自旋子重叠调制所产生的自旋极化。然而在 点附近，该区域特殊自旋构型对阻尼电子-声子矩阵元效果较弱，结果得到异常强的电子-声子耦合参数 ~ 1.4。这些结果可由一个包含自旋子项的电子-声子矩阵元简单模型加以合理化。
引用
@article{arxiv.1712.04868,
title = {Coupled spin and electron-phonon dynamics at the relativistic Tl/Si(111) surface},
author = {Peio Garcia-Goiricelaya and Idoia G. Gurtubay and Asier Eiguren},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.04868},
year = {2018}
}