通过调控轨道能级将普通绝缘体转化为拓扑绝缘体
材料科学
2015-11-19 v1
摘要
通过外来元素掺杂调控自旋轨道耦合强度和/或通过应变工程改变键合强度，是将普通绝缘体转化为拓扑绝缘体的主要途径。本文提出另一种通过调控轨道能级实现拓扑相变的策略。遵循该策略，我们的第一性原理计算表明，在一些立方钙钛矿型化合物CsGeBr和CsSnBr中，拓扑相变可通过碳取代掺杂促进。这种独特的拓扑相变主要源于碳掺杂剂的较低轨道能量，其能拉低导带甚至诱导能带反转。除传统方法外，我们调控轨道能级的发现可能大大扩展拓扑非平凡材料的范围。
引用
@article{arxiv.1511.00832,
title = {Converting normal insulators into topological insulators via tuning orbital levels},
author = {Wu-Jun Shi and Junwei Liu and Yong Xu and Shi-Jie Xiong and Jian Wu and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.00832},
year = {2015}
}