在电磁阱中控制分子的自旋翻转

当同时施加电场和磁场时，双重偶极分子表现出复杂的内部自旋动力学。在磁阱极小值附近，这些自旋动力学导致 Majorana 自旋翻转跃迁相对于原子增强了多个数量级，因此是分子陷俘与冷却进展的重要障碍。我们利用 OH 分子在一种阱几何结构中结论性地展示并解决了这一问题，在该结构中，仅用一个简单的外部偏置线圈，就能将自旋翻转损耗从 $200 \text{ s}^{-1}$ 以上调节至低于我们受真空限制的 $2\text{ s}^{-1}$ 损耗率，且对阱深和梯度的影响极小。