抑制芯片微阱中分子的非绝热损耗
原子物理
2011-03-24 v2
摘要
处于特定量子态的极性分子可以利用芯片上微结构电极产生的电场进行导引、减速和囚禁。本文探讨了如何抑制分子被囚禁的能级与未被囚禁的能级之间的非绝热跃迁。我们使用制备在 J=1 转动能级上 Lambda 双重分裂上分量的 12-CO 和 13-CO（3-Pi(1), v=0）分子，并研究了阱损耗随偏置磁场变化的函数关系。随着磁场增加，12-CO（13-CO）非绝热跃迁受到的抑制（增强）现象得到了定量的解释。
引用
@article{arxiv.1101.1027,
title = {Suppression of non-adiabatic losses of molecules from chip-based microtraps},
author = {Samuel A. Meek and Gabriele Santambrogio and Boris G. Sartakov and Horst Conrad and Gerard Meijer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1027},
year = {2011}
}
备注
12 pages, 5 figures