在行波势阱中利用芯片捕获分子

基板上配置的微结构阵列包含超过 1200 个电极，用于在基板上方约 $25 \mu$m 处生成周期为 $120 \mu$m 的电场强度局部极小值阵列。通过对电极施加正弦变化的电势，可使这些极小值沿阵列平滑移动。处于低场寻求量子态的极性分子可被捕获在这些行波势阱中。实验通过以恒定速度在基板上方输运处于 30 mK 深势阱中的亚稳态 CO 分子，对此进行了演示。