绝缘表面的极化控制：吸附在绝缘薄膜上的分子的准粒子计算
材料科学
2009-06-26 v1
摘要
通过G0W0方法中的准粒子能量计算，我们针对原型绝缘体/半导体体系NaCl/Ge(001)表明，界面处的极化效应显著影响吸附在NaCl薄膜表面的分子的激发谱。该效应的幅度可通过改变薄膜厚度来控制，为调控分子电子学或量子输运等领域的电子激发提供了新的可能性。即使对于NaCl薄膜本身的激发谱，极化效应也是可见的，这对表征绝缘体表面的表面科学实验的解释具有重要意义。
引用
@article{arxiv.0906.4565,
title = {Controlling polarization at insulating surfaces: quasiparticle calculations for molecules adsorbed on insulator films},
author = {Christoph Freysoldt and Patrick Rinke and Matthias Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.4565},
year = {2009}
}
备注
submitted to Phys. Rev. Lett