金属-分子界面处分子准粒子能级的重整化：不同结合区间的趋势
材料科学
2009-11-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
当电子或空穴被加入吸附分子的轨道时，衬底电子会重新排列以屏蔽所加电荷。这导致与自由分子情况相比，电子加入/移除能量降低。本文使用简单模型说明这种重整化机制随微观关键参数变化的普适趋势。通过比较GW准粒子能量与Hartree-Fock和Kohn-Sham计算，获得了具有基础和实践重要性的见解。我们识别出两种不同的极化机制：(i) 金属极化（镜像电荷形成）和(ii) 通过界面电荷转移的分子极化。发现(i)和(ii)的重要性分别随费米能级处金属态密度和金属-分子耦合强度的增加而增加。
引用
@article{arxiv.0810.5214,
title = {Renormalization of Molecular Quasiparticle Levels at Metal-Molecule Interfaces: Trends Across Binding Regimes},
author = {Kristian S. Thygesen and Angel Rubio},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.5214},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures