通过基原子调控掺杂拓扑绝缘体中的等离激元
材料科学
2021-07-28 v1
摘要
拓扑非平庸系统中的集体激发近年来引起了相当多的关注。在此我们研究 Su-Schrieffer-Heeger 模型中的等离激元，其低能电子带仅部分填充，从而系统呈金属性。利用随机相位近似，我们计算了带内与带间极化函数，并从随机相位近似下的介电函数确定了体等离激元色散。我们发现子晶格基态强烈影响极化函数，从而控制系统等的等离激元激发。通过改变这些局域轨道的实空间间距，可借助带内与带间屏蔽过程之间可调的权衡，选择性地增强或抑制等离激元能量。具体而言，该机制可用于稳定已在相关模型中报道过的无阻尼高能等离激元。我们提出了在实验中控制和观测这些效应的方案。
引用
@article{arxiv.2101.08883,
title = {Control of Plasmons in Doped Topological Insulators via Basis Atoms},
author = {Zhihao Jiang and Henning Schlömer and Stephan Haas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.08883},
year = {2021}
}