石墨烯中原子势涨落导致的电导增强
介观与纳米尺度物理
2012-11-21 v1
摘要
我们求解了描述二维石墨烯中无质量手性相对论载流子的 Dirac 方程。我们识别并分析了一种新颖的赝自旋依赖散射效应。我们计算了隧穿电导，并在存在可调谐原子势的石墨烯条带情况下推广了该解析结果。研究表明，石墨烯中背散射的缺失归因于 Berry 相位，该相位对应于粒子自旋旋转下波函数的符号变化。我们利用转移矩阵方法发现，掺杂石墨烯的电导率因原子势涨落而增加。
引用
@article{arxiv.1211.4780,
title = {Conductance enhancement due to atomic potential fluctuations in graphene},
author = {Dima Bolmatov and D. V. Zavialov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.4780},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 2 figures