绝缘体中重离子诱发的不依赖于组分的温度及其与径迹形成的关系

对绝缘体中 $R_e$-$T_m$ 关系（$R_e$ = 径迹半径，$T_m$ = 熔化温度）的系统性研究揭示了径迹形成的新特征。当 $\langle s_e\rangle$=常数（$\langle s_e\rangle$ = 原子阻止本领）时，在不同固体中测得的 $R_e$ 值之间展示了一种定量关系。该效应是不同绝缘体在靠近径迹的狭窄柱状体积内所诱发的、不依赖于组分的相同最大温度分布 $\Delta T(r,0)$ 的结果。这种均匀性在更大距离处逐渐消失。$\Delta T(r,0)$ 具有高斯形状，其恒定宽度 w=4.5 nm，与材料参数无关，并且可在 $\langle s_e\rangle$=常数时通过测量不同绝缘体中的 Re 进行实验确定。本文讨论了实验所得 $\Delta T(r,0)$ 分布的影响。