绝缘体对重离子辐照的相同响应：在 Gd2Ti2O7 实验中的应用
材料科学
2022-01-05 v2
摘要
研究了重离子引起的径迹半径 Re。在 Gd2Ti2O7 烧绿石中分析了 Se=6-54 keV/nm（Se - 电子阻止本领）范围内的实验径迹数据，包括低能和高能离子辐照。应用了分析热尖模型 (ATSM) 并回顾其主要特征。Gd2Ti2O7 的径迹数据表现出标度特征，这意味着仅由单一材料参数 (MP) 即熔化温度 Tm 控制的与其他绝缘体径迹尺寸的简单位量关系。Re2-Se 径迹演化曲线在全部 Se 范围内被描述，未使用除 Tm 外的任何单独拟合参数和 MP；径迹形成阈值 Set=6.1/14.4 keV/nm，分别对应 E<2 MeV/核子和 E>8 MeV/核子。Tm 的独特作用对径迹形成机制是一个高度重要的限制。讨论了该结果在辐照参数估算方面的实际意义。
引用
@article{arxiv.2105.07932,
title = {Identical response of insulators to irradiations by swift heavy ions: application to experiments on Gd2Ti2O7},
author = {G. Szenes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.07932},
year = {2022}
}
备注
17 pages, 4 figures; manuscript is shortened, Figure 3 and Figure 4 are interchanged, the text is modified appropriately, changes in the references