论 CaF2 中离子径迹形成的阈值
材料科学
2017-03-08 v1
摘要
关于 CaF2 中快速重离子径迹形成的机制一直存在争议。本研究的目的是利用一系列互补的实验技术来阐明这一重要课题。透射电子显微镜和沟道模式的卢瑟福背散射光谱均提供了离子径迹形成阈值低于 3 keV/nm 的证据，这对描述 CaF2 在快速重离子辐照下响应的模型的有效性产生了直接影响。本文在 TEM 和 RBS/c 分析方面的进展为更好地理解离子径迹的形成铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1606.03870,
title = {On the threshold of ion track formation in CaF2},
author = {Marko Karlusic and Corneliu Ghica and Raluca Florentina Negrea and Zdravko Siketic and Milko Jaksic and Marika Schleberger and Stjepko Fazinic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03870},
year = {2017}
}
备注
full paper