正常-超导体和铁磁-超导体纳米结构中的异常输运
超导电性
2009-10-31 v1
摘要
我们计算了准规则超导体-常规金属 (S/N) 结构的电导变化随温度的依赖性 (δS(T))，在扩散 regime 下进行分析，同时考察了弱和强的近接效应。我们指出，在弱近接效应情况下，δS(T) 对温度的依赖性中存在两个峰值。其中一个峰值（来自以前研究，对应温度 T_1 为阴都斯能量 (ε_Th) 的数量级），另一个则是新预测的最大值，发生在温度 T_2 时，此时超导体能隙 Δ(T_2) 的数量级为 ε_Th。在极限 L_φ < L 时，温度 T_1 由 Dħ/L^2_φ 决定（L_φ 为相位破坏长度），而非 ε_Th。我们还计算了 S/F 结构的电压依赖性 δS(V)，并在电压数值为泊松能级 splitting 时预测出现非单调行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9811216,
title = {Anomalous transport in normal-superconducting and ferromagnetic-superconducting nanostructures},
author = {R. Seviour and C. J. Lambert and A. F. Volkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9811216},
year = {2009}
}
备注
6 figures. Submitted to PRB Rapid comm