AlInN 中组分依赖的带隙与带边弯曲：理论与实验联合研究
材料科学
2013-11-26 v2
摘要
本文对 AlInN 的带隙进行了实验与理论联合研究，证实了导带和价带边虚拟晶体近似 (VCA) 的失效。提取了这些物理量的组分依赖弯曲参数。此外，提供了 GaN/AlInN 系统的组分依赖带偏移。我们表明，局部应变和内建电场显著影响带边，导致光学偏振切换发生在远低于 VCA 方法预期的 In 组分处。
引用
@article{arxiv.1310.3947,
title = {Composition dependent band gap and band edge bowing in AlInN: A combined theoretical and experimental study},
author = {S. Schulz and M. A. Caro and L. -T. Tan and P. J. Parbrook and R. W. Martin and E. P. O'Reilly},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.3947},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures, 2 tables