基于原子第一性原理的GaAs/AlxGa1-xAs异质结能带偏移
材料科学
2013-04-08 v1
摘要
我们采用原子第一性原理方法，研究了整个Al掺杂浓度范围0<x≤1内GaAs/AlxGa1-xAs异质结的能带偏移。我们应用相干势近似来处理Al掺杂的构型平均，并使用最近提出的半局域交换势来精确确定材料的带隙。计算得到的GaAs、AlAs晶体的能带结构以及GaAs/AlxGa1-xAs合金的带隙与实验结果非常吻合。我们预测GaAs/AlxGa1-xAs异质结的价带偏移随Al浓度x线性变化，关系为VBO(x)~0.587 x，而导带偏移随x非线性变化。与相应的实验数据进行了定量比较。
引用
@article{arxiv.1304.1686,
title = {Band offset of GaAs/AlxGa1-xAs heterojunctions from atomistic first principles},
author = {Yin Wang and Ferdows Zahid and Yu Zhu and Lei Liu and Jian Wang and Hong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1686},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 3 figures