(In,Ga)Se 和 (In,Ga)2Se3 半导体中的竞争结构
材料科学
2018-02-02 v1
摘要
采用第一性原理，使用 WIEN2k 和 VASP 代码以及 PBEsol 交换关联势方案，计算了六方 GaSe 和 InSe 四种多型体（β、γ、δ 和 ε）的电子结构，旨在阐明晶体学参数并比较相应竞争结构的能量排布。此外，对相同组分但不同组成的化合物，即有序空位体系 Ga2Se3 和 In2Se3，进行了类似的研究，报告了其三个不同相的弛豫晶体结构数据。与引入阳离子空位的标称纤锌矿结构进行了比较，并讨论了弛豫模式。
引用
@article{arxiv.1609.06774,
title = {Competing Structures in (In,Ga)Se and (In,Ga)2Se3 Semiconductors},
author = {J. Srour and A. Postnikov and M. Badawi and F. El Haj Hassan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.06774},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 3 figures, to be published in Phys.Stat.Solidi C in the proceedings of ICTMC-20