掺杂蜂窝晶格 Hubbard 模型中的竞争配对通道

Xiao Yan Xu; Stefan Wessel; Zi Yang Meng

doi:10.1103/PhysRevB.94.115105

掺杂蜂窝晶格 Hubbard 模型中的竞争配对通道

强关联电子 2016-09-05 v2 超导电性

作者: Xiao Yan Xu , Stefan Wessel , Zi Yang Meng

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摘要

关于掺杂 Hubbard 模型在蜂窝晶格上由关联电子涌现出超导电性的提议，涵盖了从手性 $d+id$ 单态到 $p+ip$ 三重态配对，具体取决于所考虑的掺杂范围和相互作用强度，以及用于分析配对不稳定性的方法。本文利用大规模动力学团簇近似 (DCA) 计算，考察了这些情形下主导配对对称性从弱耦合到中等耦合强度的演化。这些计算聚焦于 van Hove 奇点 (VHS) 附近的掺杂水平，并使用带有相互作用展开连续时间量子蒙特卡洛团簇求解器的 DCA 模拟进行。我们显式计算了不同均匀超导配对磁化率的温度依赖关系，并发现随着团簇尺寸逐渐增大，一幅一致的图像浮现出来：在弱耦合下， $d+id$ 单态配对在 VHS 填充附近占主导地位；而随着相互作用强度进一步增加，观察到向 $p$ 波三重态配对的增强趋势。本文还讨论了这些系统性结果与现有提议及当前对奇宇称拓扑超导性探索的相关性。

关键词

蜂窝晶格 Hubbard 模型超导配对动力学团簇近似 van Hove 奇点 d+id 单态配对 p 波三重态配对拓扑超导性

引用

@article{arxiv.1606.07582,
  title  = {Competing pairing channels in the doped honeycomb lattice Hubbard model},
  author = {Xiao Yan Xu and Stefan Wessel and Zi Yang Meng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1606.07582},
  year   = {2016}
}

备注

7 pages, 5 figures

掺杂蜂窝晶格 Hubbard 模型中的竞争配对通道

摘要

关键词

引用

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