体相GaAs、GaN和ZnO半导体微腔中强耦合机制的比较
其他凝聚态物理
2009-01-13 v1
摘要
宽禁带半导体是室温下工作的极化激元器件的理想候选材料。我们展示了体相GaAs、GaN和ZnO微腔的反射率、透射率和吸收光谱的数值模拟，以比较每个系统中强耦合机制的特殊性。事实上，这些材料中激子的本征性质导致了价带分裂、有效里德伯能和拉比能之间不同的能量层级，从而独立于腔的品质因子定义了激子-极化激元态的特性。了解极化激元本征态的组成对于优化此类系统至关重要。我们证明，在ZnO体相微腔中，只有下极化激元是良好的本征态，而所有其他共振都被阻尼，而在GaAs和GaN微腔中，上极化激元可以被正确定义。
引用
@article{arxiv.0810.1811,
title = {Comparison of strong coupling regimes in bulk GaAs, GaN and ZnO semiconductor microcavities},
author = {Stéphane Faure and T. Guillet and P. Lefebvre and T. Bretagnon and B. Gil},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.1811},
year = {2009}
}