平面 GaN 微腔中反射镜对强耦合机制的影响

利用 5 K 和 300 K 下的角度依赖反射率和光致发光技术，研究了工作在强光 - 物质耦合机制下的体材料 $\lambda/2$ GaN 微腔的光学性质。这些结构以 Al$_{0.2}$Ga$_{0.8}$N/AlN 分布布拉格反射器作为底部反射镜，顶部反射镜则为铝镜或介质布拉格反射镜。首先，研究了底部反射镜的对数对 Rabi 分裂的影响。反射镜穿透深度的增加与 Rabi 分裂的减小相关。其次，在包含两个布拉格反射镜且品质因子为 190 的微腔中，于低温下观察到了下极化激元支的发射。我们使用传递矩阵形式并考虑所研究样品的实际结构进行的模拟，与实验结果吻合良好。