单根 GaN 微米线中从强耦合到弱耦合机制的室温实现
材料科学
2015-05-28 v2 其他凝聚态物理
摘要
在室温下激子与光强耦合机制的背景下，宽带隙半导体微米线是平面微腔的一种极具优势的替代方案。本工作证明，在 GaN 微米线中，强耦合机制可在室温下实现，并具有前所未有的 125 meV 大 Rabi 劈裂，这在基于氮化物的光子纳米结构中尚属首次。该演示所依赖的方法无需预先了解微米线中光子本征模的能量，即微米线横截面形状的细节。此外，利用同一根微米线内的重掺杂段，我们通过实验证实自由激子为这种强耦合机制提供了振子强度。测得的 Rabi 劈裂与线宽之比为 15，与最先进的平面氮化物基微腔相当，尽管其设计简单得多且制造工艺要求较低。这些结果表明，GaN 微米线构成了一种更简单且有前景的系统，可用于在强耦合机制下实现电泵浦激射。
引用
@article{arxiv.1106.5595,
title = {From Strong to Weak Coupling Regime in a Single GaN Microwire up to Room Temperature},
author = {A. Trichet and F. Médard and J. Zuniga-Perez and B. Alloing and M. Richard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5595},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 4 figures