单电子与双电子俘获衰变中双 K 壳层空位产生的比较研究

我们对 $^{81}$Kr 的单 K 壳层电子俘获和 $^{78}$Kr 的双 K 壳层电子俘获之后产生的双 K 壳层空位衰变信号进行了比较研究。双 $1s$ 空位态的辐射衰变通过探测 $ECEC$ 衰变中两个 $K$ X 射线与若干俄歇电子的三重符合，或通过探测 $EC$ 衰变中两个 $K$ X 射线与（俄歇电子 + 出射的 $K$ 壳层电子）来识别。针对 $^{81}$Kr 的衰变，测量了由震离过程导致的每次 $K$ 电子俘获所产生的 $K$ 壳层空位数。发现该衰变的概率为 $P_{KK}=(5.7\pm0.8)\times10^{-5}$，系统误差为 $(\Delta P_{KK})_{syst}=\pm0.4 \times10^{-5}$。对于 $^{78}{\rm{Kr}}(2\nu2K)$ 衰变，单俘获与双俘获衰变的比较研究使我们得到信噪比为 15/1。通过对使用含 170.6 g $^{78}$Kr 样品的实验中累积 782 天有效测量数据的分析，确定了半衰期 $T_{1/2}^{2\nu2K}(g.s. \rightarrow g.s.) = [1.9^{+1.3}_{-0.7}(stat)\pm0.3(syst)]\times 10^{22}$ 年。