拓扑晶体管的紧凑模型
介观与纳米尺度物理
2022-10-11 v1 其他凝聚态物理
摘要
铁磁体的进动会导致自旋流和热量注入到相邻的非磁性材料中。此外，自旋-轨道纠缠会引起额外的电荷流注入。最近提出了这样一种器件，其中量子自旋霍尔绝缘体（QSHI）与铁磁绝缘体（FI）和超导体（SC）邻近放置，从而导致电荷、自旋和热的泵浦。在此，我们为 QSHI-FI-SC 器件构建了一个与电路兼容的基于 Verilog-A 的紧凑模型，该模型能够产生两种拓扑鲁棒的模式以实现器件运作。我们的模型还以极高（>99%）的精度捕捉了对铁磁进动、漏极电压和温度的依赖关系。
引用
@article{arxiv.2210.03874,
title = {Compact Model of a Topological Transistor},
author = {Md Mazharul Islam and Shamiul Alam and Md Shafayat Hossain and Ahmedullah Aziz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.03874},
year = {2022}
}