采用65nm CMOS工艺、具有圆极化与线极化用于毫米波应用的紧凑型60GHz片上天线
应用物理
2018-08-21 v1
摘要
本文提出一种用于60 GHz频段应用的紧凑型片上天线的设计与仿真。天线采用65nm TSMC工艺设计。该工艺包含9层金属层。一个带缝隙的0.7 mm * 0.7 mm贴片位于第9层,第一层用作地平面。芯片总尺寸为0.8 mm * 0.8 mm。为提升辐射效率并控制轴比,在地平面上调整了四个缝隙。通过适当的端口激励可实现圆极化和线极化。天线在59.6 GHz处的最大效率约为60%。仿真天线带宽从58.7 GHz起始至62.3 GHz截止。圆极化和线极化模式在0°处的峰值增益分别为-0.6 dB和-0.9 dB。
引用
@article{arxiv.1808.06599,
title = {Compact 60GHz On-Chip Antenna in 65nm CMOS Technology With Circular and Linear Polarizations for Millimeter-Wave Applications},
author = {Arash Masrouri and Nasrin Amiri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.06599},
year = {2018}
}