半金属 TaP 和 TaAs 中 Weyl 物理与面缺陷的共存
材料科学
2016-07-20 v1
摘要
我们利用衍射和成像技术对 Weyl 半金属 TaAs 和 TaP 进行了结构研究，结果表明它们包含高密度的缺陷，导致两种半金属均形成非化学计量比的单晶。尽管使用文献中已报道的技术生长的样品中观察到了缺陷和非化学计量比，但对 TaP 的 de Haas-van Alphen 测量揭示了量子振荡和高载流子迁移率，这表明这些晶体的质量与在其他文献中报道的相当。对 TaAs 的电子结构计算表明，随着空位和堆垛层错的引入，Weyl 点相对于费米能级的位置发生了移动。在空位的情况下，费米面发生了显著改变，而堆垛层错对电子结构的影响则是允许 Weyl 口袋保持靠近费米面。在非化学计量比晶体中观察到量子振荡，以及在具有堆垛层错的晶体中 Weyl 费米子口袋在费米面附近的持续存在，表明这些量子现象在这些材料中具有鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1606.05178,
title = {Coexistence of Weyl Physics and Planar Defects in Semimetals TaP and TaAs},
author = {Tiglet Besara and Daniel A. Rhodes and Kuan-Wen Chen and Suvadip Das and Qiu R. Zhang and Jifeng Sun and Bin Zeng and Yan Xin and Luis Balicas and Ryan E. Baumbach and Efstratios Manousakis and David J. Singh and Theo Siegrist},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.05178},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 9 figures. Some of the results were reported in arXiv:1511.03221, but are more extensively described here. This manuscript has been accepted for publication in Phys. Rev. B