Mn$_3$Sn 的手性畴壁及其记忆效应
强关联电子
2019-07-24 v2
摘要
磁畴壁是拓扑孤子，其内部结构由相互竞争的能量塑造而定。在常见铁磁体中，畴壁已知为 Bloch 型或 Néel 型。对于 MnSn——一种具有大室温反常霍尔效应的三角反铁磁体，其畴核化由定义明确的阈值磁场触发——相关认知甚少。在此，我们表明该体系的畴壁对霍尔电导张量产生额外贡献，并伴随横向磁化。前者是一个与磁场和电流共面的电场，因此是平面霍尔效应。我们论证，畴壁内自旋的面内转动可解释上述两种观测，且畴壁的顺时针或逆时针手性取决于磁场方向的历程，并可被控制。
引用
@article{arxiv.1903.03774,
title = {Chiral domain walls of Mn$_3$Sn and their memory},
author = {Xiaokang Li and Clément Collignon and Liangcai Xu and Huakun Zuo and Antonella Cavanna and Ulf Gennser and Dominique Mailly and Benoît Fauqué and Leon Balents and Zengwei Zhu and Kamran Behnia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.03774},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 5 figures, Supplemental Material is included