利用磁场湮灭与控制手性畴壁
介观与纳米尺度物理
2021-01-29 v1
摘要
畴壁的控制几乎是全部磁技术——尤其是信息存储与自旋电子学——的核心。为提高存储密度而进行的创造性尝试需要克服因纳米尺度畴的热涨落和加热限制所带来的易失性。拓扑缺陷,如孤子、skyrmion 和 meron,由于拓扑约束可能远不易受涨落影响,同时也可用低电流密度控制。在此,我们给出六角手性磁体 Mn1/3NbS2 中孤子/孤子与孤子/反孤子畴壁的首个证据,它们对磁场响应不对称并展现成对湮灭。这一点很重要,因为它暗示了控制孤子对出现的可能性,以及利用小磁场或小电流控制纳米尺度磁畴的可能。具体而言,我们的数据表明,通过调节受限几何中内禀交换相互作用与长程静磁学之间的平衡,可稳定孤子/孤子或孤子/反孤子对。
引用
@article{arxiv.2101.11785,
title = {Annihilation and Control of Chiral Domain Walls with Magnetic Fields},
author = {Sunil K. Karna and Madalynn Marshall and Weiwei Xie and Lisa DeBeer-Schmitt and David P. Young and Ilya Vekhter and William A. Shelton and Andras Kovacs and Michalis Charilaou and John F. DiTusa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.11785},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 4 figures