石墨烯上的化学反应性压印光刻：控制衬底对电子转移反应的影响
材料科学
2012-09-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯的化学功能化可实现对电子性质和传感器识别位点的控制。然而，其研究受到 underlying 衬底异常强烈影响的困扰。在本文中，我们展示了在广泛范围的衬底上支撑的单层石墨烯与芳基重氮盐进行电子转移化学反应速率的显著差异。当石墨烯位于 SiO_2 和 Al_2O_3（蓝宝石）上时，反应迅速进行；而在烷基终止表面和六方氮化硼 (hBN) 表面上，反应则可忽略不计。这种效应与基于掺杂水平的预期相反，但可以用一个考虑衬底诱导石墨烯中电子 - 空穴 puddles 的反应性模型来描述。我们利用拉曼光谱映射表征了衬底对石墨烯的影响。我们展示了反应性压印光刻 (RIL) 技术，该技术通过图案化底层衬底在石墨烯上空间图案化化学基团，并应用于蛋白质在石墨烯上的共价系留。
引用
@article{arxiv.1207.3369,
title = {Chemical reactivity imprint lithography on graphene: Controlling the substrate influence on electron transfer reactions},
author = {Qing Hua Wang and Zhong Jin and Ki Kang Kim and Andrew J. Hilmer and Geraldine L. C. Paulus and Chih-Jen Shih and Moon-Ho Ham and Javier D. Sanchez-Yamagishi and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Jing Kong and Pablo Jarillo-Herrero and Michael S. Strano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3369},
year = {2012}
}
备注
25 pages, 6 figures