欠掺杂双层铜氧化物中的电荷输运
强关联电子
2009-11-10 v1 超导电性
摘要
在t-J模型框架内，我们考虑双层相互作用，研究了欠掺杂双层铜氧化物中的电荷输运。虽然双层相互作用导致电子结构中的能带分裂，但电荷输运的定性行为与单层铜氧化物的情况相同。导电谱表现出低能峰和异常的中红外带。这种中红外带在温度升高时严重抑制，而在高度欠掺杂 regime 中的电阻率表现为从高温金属样行为向低温绝缘样行为的横截。这些结果与实验结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305271,
title = {Charge transport in underdoped bilayer cuprates},
author = {Feng Yuan and Jihong Qin and Shiping Feng and Wei Yeu Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305271},
year = {2009}
}
备注
5 pages, Revtex, three figures are included