4H$_b$-TaS$_2$ 中电荷转移耗尽了平带——但表面除外
超导电性
2025-08-25 v1 强关联电子
摘要
4H 多晶型 TaS 是 H 与 T 型层的天然异质结构。令人关注的最新证据指向其可能具有手性超导基态，这与其他多晶型的超导性不同，后者不包含 T 层，因而需要理解来自 T 层电子的可能贡献。本文我们利用微型聚焦角分辨光谱来揭示 4H 结构的 T 端面是金属的，但次表面 T 层——见于 H 端面下方，更具代表性地反映了 Bulk 情况——是有能隙的。结果表明，Bulk 中 T 层与相邻 H 层之间每 13 个 Ta 上的电荷完成完整转移，但 T 端面的电荷转移不完整，导致具有平面手性特征的金属费米面。类似的金属态在一个异常区域中发现，该区域可能包含 T-H-H' 堆叠。我们的结果排除了 4H-TaS Bulk 或表面中的簇 Mott 局域化，指向一种源自 H 层之间 Josephson 类似隧穿的超导性情形。
引用
@article{arxiv.2508.16411,
title = {Charge transfer empties the flat band in 4H$_b$-TaS$_2$ -- except at the surface},
author = {Mihir Date and Hyeonhu Bae and Alex Louat and Gabriele Domaine and Niels B. M. Schröter and 2 Enrico Da Como and Binghai Yan and Matthew D. Watson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.16411},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 4 figures