拓扑超导体候选材料 4Hb-TaS2 中的多带无能隙超导性证据

我们对转向金属化合物 4Hb-TaS$_{2}$ 单晶进行低温热导率测量，该材料最近被提议为拓扑超导体候选材料。在零场情况下，观察到一个小的残余线性项 $\kappa_{0}/T$，表明超导态中存在残余态密度。低场下的 $\kappa_{0}/T$ 场依赖性缓慢，排除了超导能隙中存在节点的情况，呈现S形场依赖性表明 4Hb-TaS$_{2}$ 存在多个超导能隙。我们的结果为 4Hb-TaS$_{2}$ 中的多带无能隙超导性提供了证据，残余态密度来自某些无能隙费米面。