电荷掺杂驱动填充方钴矿 CePt4Ge12-xSbx 中磁性与非费米液体行为的演化
强关联电子
2012-12-06 v1 材料科学
摘要
填充方钴矿化合物 CePt4Ge12 位于 Ce 的中间价态与重费米子行为的边界附近。用 Sb 取代 Ge 驱动系统进入强关联状态，并随着 Sb 浓度的进一步增加最终进入反铁磁有序态。我们的实验证实了新兴的近藤物理与局域 4f 磁矩形成之间存在着微妙的相互作用。观察到一个扩展的非费米液体区域，这可以在近藤无序模型的框架下理解。能带结构计算支持了以下结论：物理性质由 Sb 取代提供的电子供给及其伴随的体积效应之间的相互作用所主导。
引用
@article{arxiv.1209.3284,
title = {Charge-Doping driven Evolution of Magnetism and non-Fermi-Liquid Behavior in the Filled Skutterudite CePt4Ge12-xSbx},
author = {M. Nicklas and S. Kirchner and R. Borth and R. Gumeniuk and W. Schnelle and H. Rosner and H. Borrmann and A. Leithe-Jasper and Yu. Grin and F. Steglich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.3284},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 Figure