用投影技术计算的弱掺杂 t-J 模型中的电荷关联
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
我们使用 Mori-Zwanzig 投影技术研究了弱掺杂反铁磁体中的频率和波矢依赖的电荷关联。该系统由二维 t-J 模型描述。基态在累积量形式体系内表达，该形式体系已成功应用于研究弱掺杂系统的磁性。在这种方法中，基态包含独立的自旋袋准粒子（磁极化子）。我们给出了不同 t/J 值下零温时的电荷密度响应函数和光导率的结果。它们与通过精确对角化技术计算的数值结果吻合良好。中等和大动量下的密度响应函数在能量尺度约为几个 t 的范围内显示出一个宽的连续谱，而 \omega > 0 的光导率则由低能激发（在 1.5 - 2 J 处）主导。我们表明，这些弱掺杂特性可以通过自旋袋准粒子的激发态之间的跃迁来很好地理解。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9803212,
title = {Charge correlations in the weakly doped t-J model calculated by projection technique},
author = {Matthias Vojta and Klaus W. Becker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9803212},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figs., to appear in Europ. Phys. J. B