掺杂反铁磁体中电荷与自旋响应的普适性

本文综述了通过一种针对小关联系统的新型数值方法获得的平面$t-J$模型有限温度静态和动态性质的最新结果。特别值得关注的是$T>0$时的电荷和自旋响应函数：光导率$\sigma(\omega)$和自旋磁化率$\chi(\vec q,\omega)$，它们在中等掺杂下表现出非常普适的特征。在自旋动力学中，普适性在局域自旋关联函数中最为明显，该函数似乎与$T$无关，且仅微弱依赖于掺杂。这些结果直接适用于铜氧化物中的非弹性中子散射和NMR弛豫实验。通过分析$\sigma(\omega)$，我们发现电流关联函数$C(\omega)$在$T <J$区间内几乎与$T$无关，且进一步与$\omega$无关，导致$\sigma(\omega)$的行为非常接近边缘费米液体概念和实验结果。这些性质与掺杂反铁磁体中与低能态大简并度和量子阻挫相关的大熵联系起来进行了解释。另一方面，均匀磁化率$\chi_0(T)$以及$\sigma(\omega)$的结果揭示了进入欠掺杂区域时的定性变化。