铜氧化物中具有分数排斥统计的载流子
强关联电子
2019-07-12 v1 高能物理 - 理论
摘要
我们证明，在早先发展的SU(2)XU(1)自旋-电荷规范方法中，可一致地将二维(2D) t-J模型的无自旋载流子赋予参数1/2的排斥统计，正如一维(1D)中所发生。与1D情形类似，无双占据约束是此分数排斥统计的起源。借助该统计，我们在高掺杂下恢复了孔的“大”费米体积，接近于紧束缚近似的结果。此外，由仅弱束缚的电荷与自旋载流子构成的复合孔本质，可自然解释空穴掺杂铜氧化物的许多不寻常实验特征。
引用
@article{arxiv.1907.05081,
title = {Charge carriers with fractional exclusion statistics in cuprates},
author = {P. A. Marchetti and F. Ye and Z. B. Su and L. Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.05081},
year = {2019}
}