中文

通过 Early 建模、图像分析与模式识别表征互补双极结型晶体管

应用物理 2018-01-23 v2

摘要

本工作报道了一种研究互补双极结型晶体管对的方法,其常用于推挽电路中,典型见于运算放大器的输出级。数据采集与预处理后,采用 Early 建模方法估计两个相应参数(Early 电压 VaV_a 与比例参数 ss)。采用受 Hough 变换图像分析方法启发的投票程序来改进 VaV_a 的识别。推导了传统参数电流增益 (β\beta) 和输出电阻 (RoR_o) 与两个 Early 参数间的解析关系。结果表明,在固定 VaV_aβ\betass 增大而趋增,而 RoR_o 仅依赖于 VaV_a,并随该参数线性变化。针对 7 对互补 BJT(每对由 10 个样品表示)获得了若干有趣结果。首先,所考察 BJT 在 Early 参数空间中占据受限带区,且 NPN 与 PNP 组主要分隔为该空间中的两个各自区域。此外,PNP 器件往往呈现更大的内在参数变异。NPN 组倾向于具有比 PNP 器件更高的 VaV_a 幅值与更小的 ss。NPN 晶体管产生与 PNP 可比的 β\beta 及更大的 RoR_o。采用模式识别方法获得 Early 空间中 NPN 与 PNP 组间的线性分离线,并以各自平均参数估计相应原型器件。具有大与小参数差异的两对实际 BJT 用于三种推挽电路配置,测量并讨论了各自总谐波失真,表明参数匹配对结果有确定影响。

关键词

引用

@article{arxiv.1801.06025,
  title  = {Characterizing Complementary Bipolar Junction Transistors by Early Modelling, Image Analysis, and Pattern Recognition},
  author = {Luciano da F. Costa},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1801.06025},
  year   = {2018}
}

备注

A working manuscript with 25 pages, 23 figures and 5 tables. Version 2: corrected typos, 2 new figures, additional references, new results on analytical THD and respectively implied review of discussions, new results about the mapping into the betaXRo space. Also, a new result that the THD of the considered configurations depends only on s