分岔阈值附近 Bloch 振荡晶体管的动力学
介观与纳米尺度物理
2013-08-09 v1
摘要
分岔趋势常被用来改善放大器的性能特征，甚至用于构建探测器。Bloch 振荡晶体管就是这样一种器件。在此我们表明，通过调节基极电流可以趋近双稳态行为，且该临界值取决于器件的 Josephson 耦合能 。我们展示了在较小 下，器件在分岔点附近工作时获得了创纪录的电流增益。根据我们在不同 下得到的电流增益结果，确定了 - 基极电流平面上的分岔阈值。通过带间与带内隧穿事件的相互作用，可以理解该分岔阈值曲线。
引用
@article{arxiv.1301.5546,
title = {Dynamics of Bloch oscillating transistor near bifurcation threshold},
author = {Jayanta Sarkar and Antti Puska and Juha Hassel and Pertti J. Hakonen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.5546},
year = {2013}
}
备注
24 pages, 8 figures