ATLAS 可插入 B 层升级用 FE-I4B 像素读出芯片生产批次的表征
仪器与探测器
2013-04-17 v1
摘要
可插入 B 层（IBL）是第四个像素层，将在 2013 年和 2014 年 LHC 长停机期间添加到现有的 ATLAS 像素探测器内部。新的四层像素系统将在下一个 LHC 运行周期预计的高亮度堆积条件下确保卓越的径迹重建、顶点重建和 b 标记性能。峰值亮度预计将达到 3 x 10^34 cm^-2 s^-1，IBL 寿命期内的积分亮度为 300 fb^-1，对应的设计寿命注量为 5 x 10^15 n_eq cm^-2，电离剂量为 250 Mrad（包含安全系数）。用于 IBL 的前端电子学 FE-I4B 于 2011 年底制造完成，并在切割后的集成电路以及晶圆层面进行了广泛的表征。晶圆层面的生产测试于 2012 年进行。本文展示了切割后集成电路表征的部分结果，包括片上电压调节器的测量数据。基于这些结果选择的 IBL 供电方案也在文中进行了描述。此外，还给出了初步的晶圆间分布以及良率计算。
引用
@article{arxiv.1304.4424,
title = {Characterization of the FE-I4B pixel readout chip production run for the ATLAS Insertable B-layer upgrade},
author = {Malte Backhaus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.4424},
year = {2013}
}