用于研制新型锗探测器的超高纯锗晶体表征
仪器与探测器
2020-12-30 v2 材料科学
高能物理 - 实验
核实验
摘要
超高纯锗（HPGe）晶体在制成锗探测器之前需要进行充分表征。HPGe 晶体的表征通常通过霍尔效应系统进行，该系统测量载流子浓度、霍尔迁移率和电阻率。所报告的值强烈依赖于欧姆接触的尺寸以及进行霍尔效应测量所用样品的几何形状。我们使用从同一 HPGe 晶体同一位置切下的四个样品，制成不同尺寸的欧姆接触或不同几何形状，进行了系统研究，以探究霍尔效应系统所测参数的变化。结果与该晶体制成的锗探测器提供的 C-V 测量进行了比较。我们报告了霍尔效应系统所涉及的系统误差，并找到了一种可靠技术，可将霍尔效应测量的系统误差降至仅百分之几。
引用
@article{arxiv.2002.07706,
title = {Characterization of High-Purity Germanium (Ge) Crystals for Developing Novel Ge Detectors},
author = {M. -S. Raut and H. Mei and D. -M. Mei and S. Bhattarai and W. -Z. Wei and R. Panda and P. Acharya and G. -J. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.07706},
year = {2020}
}
备注
11 page, 4 figures, and 6 Tables