用于临界事故剂量监测中半导体探测器的简化效率刻度方法

提出并验证了基于真符合相加效应、用于简便确定半导体高纯锗(HPGe)探测器系统光电峰效率的“过简化”和“简化”方法。这些方法和经刻度的 $^{60}$Co 放射源可用于在任何 HPGe 探测器投用，以在潜在临界事故中使用。使用该方法确定的半导体 HPGe 探测器系统的精度为百分之几(对本研究使用的探测器系统，过简化方法约为 8%，简化方法相应约为 5%)，合理、符合预期，且足以用于在潜在临界事故中估算辐照人血的中子剂量。此外，若能利用所提方法实验推导出 $^{60}$Co 1333 keV $\gamma$ 射线线的光电峰效率，则该效率也可用于 $^{24}$Na 同位素衰变中 1369 keV $\gamma$ 射线线，精度在百分之几以内。