利用透射电子显微镜表征 (Ga,Fe)N 薄膜中的 Fe-N 纳米晶体和含氮包裹体
材料科学
2014-01-08 v1
摘要
利用扫描透射电子显微镜（STEM）和电子能量损失谱（EELS）识别并表征了 (Ga,Fe)N 层中位于 FeN（n = 3 或 4）纳米晶体附近的纳米级含氮包裹体。高分辨率 STEM 图像揭示了 Fe-N 纳米晶体在其与含氮包裹体的边界处被截断。使用受控电子束钻孔实验，在电子显微镜中原位释放包裹体中的氮气。单个包裹体中氮的密度测量为 g/cm。这些观察结果解释了 (Ga,Fe)N 层中多余氮的位置，这些氮是在生长过程中由 FeN（n > 1）纳米晶体的成核释放出来的。
引用
@article{arxiv.1307.7871,
title = {Characterization of Fe-N nano crystals and nitrogen-containing inclusions in (Ga,Fe)N thin films using transmission electron microscopy},
author = {A. Kovacs and B. Schaffer and M. S. Moreno and J. R. Jinschek and A. J. Craven and T. Dietl and A. Bonanni and R. E. Dunin-Borkowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.7871},
year = {2014}
}