通道进入-通道退出再思考：选区电子通道和电子反弹衍射

扫描电子显微镜结合电子反弹衍射（EBSD）和电子通道提供丰富的晶体学对比，但在定量分析中常被简化或忽略通道进入与通道退出的相互作用。在本工作中，我们使用从单晶硅片上获取的选区电子通道图案（SA-ECPs），在记录每个入射束方向的EBSD图案时，直接探讨通道进入对EBSD信号的影响。我们表明，常见的Hough基于质量指标（图案质量、带对比度和带斜率）、图案匹配交叉相关系数以及傅里叶基于信噪比，在原始图案和背景校正图案中均显示出强烈的晶体学调制，这些调制遵循底层ECP的特征。类似的宽角通道特征也可见于常规低放大率EBSD图中，表明通道进入效应在常规映射条件下也具有相关性，而不仅限于专门的ECP实验。这些观察结果表明，通道进入效应可能显著偏向基于质量的EBSD数据解释，包括图案模糊分析、高分辨率应变映射以及依赖于衍射图案细微变化的新兴统计或机器学习方法。本文所提出的结合SA-ECP和EBSD策略提供了一个实用框架，用于可视化和可能控制SEM中的通道进入/通道退出耦合，为设计实验和探测器配置提供了新途径，以要么减轻要么有意识地利用这些动态效应。