四维 Einstein-Gauss-Bonnet-Maxwell 理论中黑洞的因果性

Xian-Hui Ge; Sang-Jin Sin

doi:10.1140/epjc/s10052-020-8288-9

四维 Einstein-Gauss-Bonnet-Maxwell 理论中黑洞的因果性

高能物理 - 理论 2022-04-29 v2 广义相对论与量子宇宙学

作者: Xian-Hui Ge , Sang-Jin Sin

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摘要

我们在线性化扰动层面研究了四维（4D）Einstein-Gauss-Bonnet-Maxwell 理论中的带电黑洞解。我们首先计算了剪切黏度与熵密度之比。随后我们展示了体因果结构分析如何在 AdS 空间中给出 Gauss-Bonnet 耦合常数的上界。因果性将 Gauss-Bonnet 耦合常数 $\alpha_{GB}$ 的值限制为 $\alpha_{GB}\leq 0$ （当 $D\rightarrow 4$ 时）。

关键词

带电黑洞 Einstein-Gauss-Bonnet-Maxwell 理论剪切黏度因果结构 Gauss-Bonnet 耦合 AdS 空间

引用

@article{arxiv.2004.12191,
  title  = {Causality of black holes in 4-dimensional Einstein-Gauss-Bonnet-Maxwell theory},
  author = {Xian-Hui Ge and Sang-Jin Sin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2004.12191},
  year   = {2022}
}

备注

13 pages, minor revision, references added

四维 Einstein-Gauss-Bonnet-Maxwell 理论中黑洞的因果性

摘要

关键词

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备注

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