III-V-N 中间带半导体中的载流子寿命
材料科学
2017-02-01 v1
摘要
我们使用瞬态吸收光谱测量了多带半导体 GaPAsN 中的载流子寿命。这些测量探测了激发脉冲后导带、中间带和价带中电子布居随时间的变化。在对 GaP0.32As0.67N0.01 进行光激发后，我们发现导带中的电子布居以 23ps 的时间常数呈指数衰减。中间带中的电子布居表现出双分子复合，复合常数为 r = 2×10^-8 cm^3/s。在我们的实验中，一个光泵浦脉冲将电子从价带激发到中间带和导带，并用一个延迟的白光脉冲探测由于吸收饱和和诱导吸收引起的带间吸收变化。我们使用能带反交叉模型对样品的光学性质进行建模，以提取作为时间函数的载流子密度。这些结果表明，少数载流子寿命对于高效的太阳能转换来说太短，并且需要提高材料质量才能实现 GaPAsN 基中间带太阳能电池的实际应用。
引用
@article{arxiv.1608.05375,
title = {Carrier Lifetimes in a III-V-N Intermediate Band Semiconductor},
author = {J. N. Heyman and A. M. Schwartzberg and K. M. Yu and A. V. Luce and O. D. Dubon and Y. J. Kuang and C. W. Tu and W. Walukiewicz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.05375},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 7 figures