独立支撑 Xene 单层能否表现为激子绝缘体？
介观与纳米尺度物理
2019-01-18 v2
摘要
我们预测，在独立支撑的单层 Xene 中，从半导体相到激子绝缘体（EI）相的相变可通过将外电场减小到低于各材料特有的某一临界值来诱导。在非零点电场下，由于自旋轨道耦合导致的导带与价带分裂，在较大或较小带隙中形成 和 激子，其结合能相应较大或较小。我们的计算表明，在特定的电场范围内， 激子的半导体相与 激子的 EI 相共存。介电环境排除了支撑或封装单层 Xene 中 EI 相的存在。
引用
@article{arxiv.1809.04155,
title = {Can freestanding Xene monolayers behave as excitonic insulators?},
author = {Matthew N. Brunetti and Oleg L. Berman and Roman Ya. Kezerashvili},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.04155},
year = {2019}
}
备注
6 pages