饱和形状量子点中的电子态计算
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
结合经验紧束缚模型与群论的不可约表示，计算了原子数为5至3127、尺寸范围Si为0.57至4.92 nm、Ge为0.60至5.13 nm的饱和形状Si和Ge量子点的电子态。将结果与球形Si和Ge量子点的结果进行了比较。讨论了形状对量子点中电子态的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208395,
title = {Calculations on Electronic States in QDs woth Saturated Shapes},
author = {Wei Cheng and Shang-Fen Ren},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208395},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 5 figures