原子级薄过渡金属硫族化物中 $C_n$ 对称的高阶拓扑晶体绝缘体
介观与纳米尺度物理
2022-02-02 v2 材料科学
摘要
基于第一性原理计算与对称性分析，我们预言原子级薄（ 层）2H 族 VIB 族 TMDs （ = Mo, W； = S, Se, Te）是由 旋转对称性保护的大带隙高阶拓扑晶体绝缘体。我们明确展示了这些熟知 TMDs 的非平庸拓扑指标与具有量子化分数电荷的特征角态的存在，其体光学带隙较大（单层为 eV），这将有助于通过 STM 进行实验探测。我们发现，定义良好的角态存在于原子级薄（ 层）2H 族 VIB TMDs 的具有 armchair 边的三角形有限尺寸薄片中，相应的量子化分数电荷为层数 除以 3 后对整数取模，若计入自旋自由度则简单加倍。
引用
@article{arxiv.2109.01988,
title = {$C_n$-symmetric higher-order topological crystalline insulators in atomically thin transition-metal dichalcogenides},
author = {Shifeng Qian and Gui-bin Liu and Cheng-Cheng Liu and Yugui Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.01988},
year = {2022}
}