氧化铝中体相和表面隧穿氢缺陷
材料科学
2013-10-23 v1 化学物理
摘要
我们通过第一性原理计算研究了氧化铝中基于氢的隧穿缺陷，以识别超导量子比特中的有害二能级系统（TLS）。分析的缺陷包括体相氢化铝空位、体相氢间隙缺陷以及表面OH转子。首先计算了在富铝和富氧环境下缺陷的形成能，以给出生长过程中缺陷出现的可能性。然后计算了势能面，并评估了相应的电偶极矩，以确定缺陷与电场的耦合。最后，计算了氢缺陷和类似氘缺陷的隧穿能量，从而估计了TLS能量及相应的光子吸收频率。我们预测，氢化阳离子空位缺陷将在氧化铝中形成显著的GHz频率TLS密度。
引用
@article{arxiv.1303.6713,
title = {Bulk and Surface Tunneling Hydrogen Defects in Alumina},
author = {Aaron M. Holder and Kevin D. Osborn and C. J. Lobb and Charles B. Musgrave},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.6713},
year = {2013}
}