趋近简并异常点时的布儒斯特效应：Epsilon-near-zero 行为
应用物理
2019-02-06 v1
摘要
我们揭示，通常与平面波的 epsilon-near-zero（ENZ）材料相关的无相位累积的全透射现象并不要求介电常数消失。我们在理论上将该现象与在阻带边缘（即所谓的简并异常点）处满足的布儒斯特效应条件联系起来，并表明无相位累积的全透射可在各种一维周期结构中观察到。特别地，利用一维全介电周期晶格中简并异常点的流形，我们证明这些结构不仅为 ENZ 介质的某些应用提供了一种无损耗且极简单、与 CMOS 兼容的替代方案，而且展现出全角全透射与零相位延迟的新特性。
引用
@article{arxiv.1812.04921,
title = {Brewster effect when approaching exceptional points of degeneracy: Epsilon-near-zero behavior},
author = {Vladislav Popov and Sergei Tretyakov and Andrey Novitsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04921},
year = {2019}
}