利用低和高$T_c$材料突破热辅助记录中的热致写入错误
材料科学
2015-06-12 v1
摘要
热辅助记录被认为是进一步提高磁记录面密度的关键技术。Richter 等人 [Richter et al. J. Appl. Phys. 111, 033909 (2012)] 的工作指出，由于热致写入错误，存储密度将限制在 15 至 20 Tbit/in2。在本信中，我们提出了一种由两种具有不同居里温度的材料组成的复合结构。硬磁层位于高软磁层之上。在这种复合材料中，直至面密度达到 50 至 100 Tbit/in2，热写入错误均可忽略不计。研究表明，在该复合结构中减小的有效热场梯度与跃迁抖动的可能增加无关。跃迁抖动主要由居里温度的微小分布主导。该复合结构获得了最小的抖动。
引用
@article{arxiv.1302.1092,
title = {Breaking the thermally induced write error in heat assisted recording by using low and high Tc materials},
author = {Dieter Suess and Thomas Schrefl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1092},
year = {2015}
}